IRS21850SPBF
Produktcode: 23946
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: 600V Single High Side Driver IC with propagation delay matched output channels
Spannung, eing., V: 10…20V
I-ausg., A: 4A
Temperaturbereich: -40…+125°C
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Weitere Produktangebote IRS21850SPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRS21850SPBF | International Rectifier/Infineon |
Драйвер MOSFET, Uживл, В = 10...240, Тип вх. сигн. = неінвертуючий, Io = 4, Dt = 15 нс, К-сть вих. = 1, Тексп, °С = -55...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 95 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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 |
IRS21850SPBF | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
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IRS21850SPBF | Infineon Technologies |
Gate Drivers 600V 1 IC 10V TO 20V 3.3V 5.5V HIGH SIDE |
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| IRS21850SPBF |
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
Драйвер MOSFET, Uживл, В = 10...240, Тип вх. сигн. = неінвертуючий, Io = 4, Dt = 15 нс, К-сть вих. = 1, Тексп, °С = -55...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Драйвер MOSFET, Uживл, В = 10...240, Тип вх. сигн. = неінвертуючий, Io = 4, Dt = 15 нс, К-сть вих. = 1, Тексп, °С = -55...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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| IRS21850SPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
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| IRS21850SPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers 600V 1 IC 10V TO 20V 3.3V 5.5V HIGH SIDE
Gate Drivers 600V 1 IC 10V TO 20V 3.3V 5.5V HIGH SIDE
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