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IS41LV16100D-50TLI

IS41LV16100D-50TLI ISSI

41LV16100D-1128253.pdf Hersteller: ISSI
DRAM 16Mb 1Mx16 50ns Async EDO DRAM
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Technische Details IS41LV16100D-50TLI ISSI

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS41LV16100D-50TLI - DRAM, 1M x 16 Bit, 50ns, parallele Schnittstelle, TSOP-II-44, tariffCode: 85423290, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, productTraceability: No, rohsCompliant: YES, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Anzahl der Pins: 44Pin(s), euEccn: NLR, Speicherdichte: 16Mbit, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Betriebstemperatur, max.: 85°C, usEccn: EAR99, Produktpalette: IS41LV, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IS41LV16100D-50TLI IS41LV16100D-50TLI Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) 2622014.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS41LV16100D-50TLI - DRAM, 1M x 16 Bit, 50ns, parallele Schnittstelle, TSOP-II-44
tariffCode: 85423290
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
euEccn: NLR
Speicherdichte: 16Mbit
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: IS41LV
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IS41LV16100D-50TLI Hersteller : ISSI 41LV16100D.pdf 41LV16100D-50TLI DRAM memories - integrated circuits
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IS41LV16100D-50TLI IS41LV16100D-50TLI Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 41LV16100D.pdf Description: IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: DRAM - EDO
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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