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IS42RM32160E-75BLI ISSI


IS42RM32160E-75BLI.pdf Hersteller: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Clock frequency: 133MHz
Access time: 7.5ns
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Supply voltage: 2.3...3V DC
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
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Technische Details IS42RM32160E-75BLI ISSI

Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: SDRAM, Memory: 512Mb DRAM, Memory organisation: 4Mx32bitx4, Clock frequency: 133MHz, Access time: 7.5ns, Case: TFBGA90, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: in-tray; tube, Supply voltage: 2.3...3V DC, Anzahl je Verpackung: 240 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IS42RM32160E-75BLI IS42RM32160E-75BLI Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 42-45SM-RM-VM32160E.pdf Description: IC SDRAM 512M 133MHZ 90BGA
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Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Clock frequency: 133MHz
Access time: 7.5ns
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Supply voltage: 2.3...3V DC
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