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Technische Details IS42S16160J-6BLI ISSI
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 54-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SDRAM, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8), Part Status: Active, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5.4 ns, Memory Organization: 16M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote IS42S16160J-6BLI nach Preis ab 4.38 EUR bis 12.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IS42S16160J-6BLI | Hersteller : ISSI |
 DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA |
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IS42S16160J-6BLI | Hersteller : ISSI |
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT |
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IS42S16160J-6BLI | Hersteller : ISSI |
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA |
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| IS42S16160J-6BLI | Hersteller : Integrated Silicon Solution Inc. |
SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz; 5.4ns; 3V~3,6V; -40°C~85°C; IS42S16160J-6BLI; IS42S16160J-6BLI-TR; 42S16160J-6BLI; 42S16160J-6BLI-TR; IS42S16160J-6BLI PSIS42S16160J-6BLI-TR Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
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IS42S16160J-6BLI | Hersteller : ISSI |
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IS42S16160J-6BLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8) Part Status: Active Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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