| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.51 EUR |
| 10+ | 5.93 EUR |
| 25+ | 5.81 EUR |
| 50+ | 5.46 EUR |
| 108+ | 5.18 EUR |
| 216+ | 5.13 EUR |
| 540+ | 4.94 EUR |
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Technische Details IS42S16160J-6TL ISSI
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II, Access Time: 5.4 ns, Memory Interface: Parallel, Supplier Device Package: 54-TSOP II, Memory Format: DRAM, Clock Frequency: 166 MHz, Technology: SDRAM, Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 256Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Tube, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 16M x 16.
Weitere Produktangebote IS42S16160J-6TL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16160J-6TL | ISSI |
 Синхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 16, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. виAnzahl je Verpackung: 108 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IS42S16160J-6TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Access Time: 5.4 ns Memory Interface: Parallel Supplier Device Package: 54-TSOP II Memory Format: DRAM Clock Frequency: 166 MHz Technology: SDRAM Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 256Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 16M x 16 |
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Mindestbestellmenge: 324 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS42S16160J-6TL |
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Hersteller: ISSI
Синхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 16, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. ви
Anzahl je Verpackung: 108 Stücke
Синхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 16, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. ви
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| IS42S16160J-6TL |
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Access Time: 5.4 ns
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Access Time: 5.4 ns
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
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