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IS42S16400J-6BL ISSI


42-45S16400J.pdf
Hersteller: ISSI
DRAM 64M (4Mx16) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
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Technische Details IS42S16400J-6BL ISSI

Description: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Format: DRAM, Clock Frequency: 166 MHz, Technology: SDRAM, Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 64Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 54-TFBGA, Packaging: Tray, Memory Organization: 4M x 16, Access Time: 5.4 ns, Memory Interface: Parallel, Part Status: Active, Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IS42S16400J-6BL IS42S16400J-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 42-45S16400J.pdf Description: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 54-TFBGA
Packaging: Tray
Memory Organization: 4M x 16
Access Time: 5.4 ns
Memory Interface: Parallel
Part Status: Active
Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 696 Stücke
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IS42S16400J-6BL ISSI IS42S16400J-5BL.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 1Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA54; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 64Mb DRAM
Memory organisation: 1Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Access time: 6ns
Case: TFBGA54
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Supply voltage: 3...3.6V DC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 348 Stücke
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IS42S16400J-6BL IS42S16400J-6BL ISSI 3.3v-sdr-sdram.pdf DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 54-TFBGA
Packaging: Tray
Memory Organization: 4M x 16
Access Time: 5.4 ns
Memory Interface: Parallel
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Hersteller: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 1Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA54; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 64Mb DRAM
Memory organisation: 1Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Access time: 6ns
Case: TFBGA54
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Supply voltage: 3...3.6V DC
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Hersteller: ISSI
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
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