IS42S16800F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8M x 16
Access Time: 5.4 ns
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 128Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 54-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details IS42S16800F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 8M x 16, Access Time: 5.4 ns, Memory Interface: Parallel, Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8), Memory Format: DRAM, Clock Frequency: 166 MHz, Technology: SDRAM, Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 128Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 54-TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote IS42S16800F-6BL-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IS42S16800F-6BL-TR | ISSI |
DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, T&R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS42S16800F-6BL-TR | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA54 Mounting: SMD Case: TFBGA54 Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...70°C Clock frequency: 166MHz Memory: 128Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 2Mx16bitx4 Kind of package: reel; tape Kind of memory: SDRAM Supply voltage: 3...3.6V DC Access time: 6ns |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IS42S16800F-6BL-TR | ISSI |
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R |
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IS42S16800F-6BL-TR | ISSI |
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R |
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| IS42S16800F-6BL-TR |
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Hersteller: ISSI
DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, T&R
DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, T&R
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| IS42S16800F-6BL-TR |
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Hersteller: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA54
Mounting: SMD
Case: TFBGA54
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 128Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: SDRAM
Supply voltage: 3...3.6V DC
Access time: 6ns
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA54
Mounting: SMD
Case: TFBGA54
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 128Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: SDRAM
Supply voltage: 3...3.6V DC
Access time: 6ns
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
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| IS42S16800F-6BL-TR |
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Hersteller: ISSI
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R
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| IS42S16800F-6BL-TR |
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Hersteller: ISSI
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R
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