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IS42S32160D-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 16M x 32
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Technische Details IS42S32160D-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 90-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SDRAM, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13), Part Status: Obsolete, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5.4 ns, Memory Organization: 16M x 32.
Weitere Produktangebote IS42S32160D-6BI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IS42S32160D-6BI | ISSI |
DRAM 512M 16Mx32 166Mhz SDRAM, 3.3v |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS42S32160D-6BI | ISSI |
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS42S32160D-6BI |
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Hersteller: ISSI
DRAM 512M 16Mx32 166Mhz SDRAM, 3.3v
DRAM 512M 16Mx32 166Mhz SDRAM, 3.3v
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| IS42S32160D-6BI |
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Hersteller: ISSI
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
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