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Technische Details IS42S32160D-6BLI ISSI
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 90-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SDRAM, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13), Part Status: Not For New Designs, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5.4 ns, Memory Organization: 16M x 32.
Weitere Produktangebote IS42S32160D-6BLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| IS42S32160D-6BLI | Hersteller : ISSI |
 DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA |
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| IS42S32160D-6BLI | Hersteller : ISSI |
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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%20Renders/90-BGA%2013x8.jpg "IS42S32160D-6BLI") |
IS42S32160D-6BLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 90-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Part Status: Not For New Designs Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 16M x 32 |
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