IS42S32160F-6BLI-TR ISSI
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 23.21 EUR |
| 10+ | 21.49 EUR |
| 25+ | 21.19 EUR |
| 100+ | 18.36 EUR |
| 250+ | 17.56 EUR |
| 500+ | 17.44 EUR |
| 1000+ | 16.32 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IS42S32160F-6BLI-TR ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: SDRAM, Memory: 512Mb DRAM, Memory organisation: 4Mx32bitx4, Clock frequency: 167MHz, Access time: 6ns, Case: TFBGA90, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: reel; tape, Supply voltage: 3...3.6V DC, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote IS42S32160F-6BLI-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS42S32160F-6BLI-TR | Hersteller : ISSI |
 DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
IS42S32160F-6BLI-TR | Hersteller : ISSI |
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| IS42S32160F-6BLI-TR | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 4Mx32bitx4 Clock frequency: 167MHz Access time: 6ns Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel; tape Supply voltage: 3...3.6V DC Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
%20Renders/90-BGA%2013x8.jpg "IS42S32160F-6BLI-TR") |
IS42S32160F-6BLI-TR | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| IS42S32160F-6BLI-TR | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 4Mx32bitx4 Clock frequency: 167MHz Access time: 6ns Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel; tape Supply voltage: 3...3.6V DC |
Produkt ist nicht verfügbar |