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IS42S32160F-7BLI

IS42S32160F-7BLI ISSI

42_45R_S_32160F-706468.pdf
Hersteller: ISSI
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
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Technische Details IS42S32160F-7BLI ISSI

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS42S32160F-7BLI - SDRAM, 16M x 32 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, BGA-90, tariffCode: 85423245, DRAM-Ausführung: SDR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: 143MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 90Pin(s), Produktpalette: IS42S, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IS42S32160F-7BLI IS42S32160F-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 42-45R-S-32160F.pdf Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 143 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 16M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS42S32160F-7BLI IS42S32160F-7BLI Integrated Silicon Solution Inc. info-psd051216143b.pdf Synchronous DRAM, 512Mbit (8M x 16bit), 143MHz, 3.3V, -40?85°C IS42S32160F-7BLI-TR; IS42S32160F-7BLI ISN; IS42S32160F-7BLI PSD0512/16/143b
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IS42S32160F-7BLI ISSI 530483128792319842-45r-s-32160f.pdf DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
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Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
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Technology: SDRAM
Clock Frequency: 143 MHz
Memory Format: DRAM
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Memory Interface: Parallel
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DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
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