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Technische Details IS42S32200L-6BLI ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512kx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: SDRAM, Memory organisation: 512kx32bitx4, Clock frequency: 166MHz, Access time: 6ns, Case: TFBGA90, Memory capacity: 64Mb, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: in-tray; tube, Supply voltage: 3...3.6V DC.
Weitere Produktangebote IS42S32200L-6BLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IS42S32200L-6BLI | Hersteller : ISSI |
 DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA |
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| IS42S32200L-6BLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512kx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 512kx32bitx4 Clock frequency: 166MHz Access time: 6ns Case: TFBGA90 Memory capacity: 64Mb Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 3...3.6V DC |
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%20Renders/90-BGA%2013x8.jpg "IS42S32200L-6BLI") |
IS42S32200L-6BLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA |
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| IS42S32200L-6BLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512kx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 512kx32bitx4 Clock frequency: 166MHz Access time: 6ns Case: TFBGA90 Memory capacity: 64Mb Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 3...3.6V DC |
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