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Technische Details IS42S32400F-6BL ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; 0÷70°C; parallel, Kind of package: in-tray; tube, Supply voltage: 3...3.6V DC, Type of integrated circuit: DRAM memory, Operating temperature: 0...70°C, Clock frequency: 166MHz, Memory capacity: 128Mb, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 1Mx32bitx4, Case: TFBGA90, Kind of memory: SDRAM, Mounting: SMD, Access time: 6ns, Anzahl je Verpackung: 240 Stücke.
Weitere Produktangebote IS42S32400F-6BL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IS42S32400F-6BL | Hersteller : ISSI |
 DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA |
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| IS42S32400F-6BL | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; 0÷70°C; parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 3...3.6V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...70°C Clock frequency: 166MHz Memory capacity: 128Mb Kind of interface: parallel Memory organisation: 1Mx32bitx4 Case: TFBGA90 Kind of memory: SDRAM Mounting: SMD Access time: 6ns Anzahl je Verpackung: 240 Stücke |
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%20Renders/90-BGA%2013x8.jpg "IS42S32400F-6BL") |
IS42S32400F-6BL | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA |
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| IS42S32400F-6BL | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; 0÷70°C; parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 3...3.6V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...70°C Clock frequency: 166MHz Memory capacity: 128Mb Kind of interface: parallel Memory organisation: 1Mx32bitx4 Case: TFBGA90 Kind of memory: SDRAM Mounting: SMD Access time: 6ns |
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