IS42S32800J-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 8M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IS42S32800J-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 90-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SDRAM, Clock Frequency: 133 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13), Memory Interface: Parallel, Access Time: 6 ns, Memory Organization: 8M x 32, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote IS42S32800J-75EBLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS42S32800J-75EBLI | ISSI |
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz a. CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS42S32800J-75EBLI | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90 Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Supply voltage: 3...3.6V DC Access time: 7.5ns Type of integrated circuit: DRAM memory Clock frequency: 133MHz Memory: 256Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 2Mx32bitx4 Kind of package: in-tray; tube Case: TFBGA90 Kind of memory: SDRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IS42S32800J-75EBLI | ISSI |
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS42S32800J-75EBLI |
|
Hersteller: ISSI
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz a. CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz a. CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IS42S32800J-75EBLI |
|
Hersteller: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Access time: 7.5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Clock frequency: 133MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx32bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TFBGA90
Kind of memory: SDRAM
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Access time: 7.5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Clock frequency: 133MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx32bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TFBGA90
Kind of memory: SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IS42S32800J-75EBLI |
|
Hersteller: ISSI
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH