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IS42S32800J-7BLI

IS42S32800J-7BLI ISSI

42_45S32800J-706492.pdf
Hersteller: ISSI
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
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Technische Details IS42S32800J-7BLI ISSI

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS42S32800J-7BLI - DRAM, 8M x 32 Bit, 5.4ns, LVTTL-Schnittstelle, TFBGA-90, tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: SDR, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: -, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: 143MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019), Anzahl der Pins: 90Pin(s), Produktpalette: IS42S, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 8M x 32 Bit.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IS42S32800J-7BLI IS42S32800J-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 42-45S32800J.pdf Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8M x 32
Access Time: 5.4 ns
Memory Interface: Parallel
Part Status: Active
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 143 MHz
Technology: SDRAM
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 90-TFBGA
Packaging: Tray
auf Bestellung 166 Stücke:
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2+13.7 EUR
10+12.73 EUR
25+12.35 EUR
40+12.15 EUR
80+11.86 EUR
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IS42S32800J-7BLI IS42S32800J-7BLI INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI 2578082.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS42S32800J-7BLI - DRAM, 8M x 32 Bit, 5.4ns, LVTTL-Schnittstelle, TFBGA-90
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDR
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 90Pin(s)
Produktpalette: IS42S
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 32 Bit
auf Bestellung 355 Stücke:
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6+41.8 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IS42S32800J-7BLI ISSI 42-45s32800j.pdf DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
auf Bestellung 186 Stücke:
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14+12.96 EUR
16+11.1 EUR
25+10.2 EUR
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Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IS42S32800J-7BLI ISSI 42-45s32800j.pdf DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
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16+11.34 EUR
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IS42S32800J-7BLI ISSI 42-45s32800j.pdf DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
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Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 143 MHz
Technology: SDRAM
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Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
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Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS42S32800J-7BLI - DRAM, 8M x 32 Bit, 5.4ns, LVTTL-Schnittstelle, TFBGA-90
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDR
euEccn: NLR
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IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
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