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IS42S83200G-7TL ISSI

Hersteller: ISSI
DRAM 256M 32Mx8 143MHz SDR SDRAM, 3.3V

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Technische Details IS42S83200G-7TL ISSI

Синхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 143 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 108 Stücke.

Weitere Produktangebote IS42S83200G-7TL

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	IS42S83200G-7TL	ISSI	Синхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 143 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 108 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	IS42S83200G-7TL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Description: IC SDRAM 256M 143MHZ 54TSOP	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 216 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IS42S83200G-7TL

Hersteller: ISSI
Синхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 143 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 108 Stücke

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IS42S83200G-7TL

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SDRAM 256M 143MHZ 54TSOP

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