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Technische Details IS42S83200G-7TL ISSI
Синхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 143 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 108 Stücke.
Weitere Produktangebote IS42S83200G-7TL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IS42S83200G-7TL | ISSI |
 DRAM Chip SDRAM 256Mbit 32Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS42S83200G-7TL |
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Hersteller: ISSI
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 32Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 32Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)