Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IS42S83200J-6TL ISSI
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSO, Anzahl je Verpackung: 108 Stücke.
Weitere Produktangebote IS42S83200J-6TL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IS42S83200J-6TL | Hersteller : ISSI |
 Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOAnzahl je Verpackung: 108 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
%20Renders/54-TSOP.jpg "IS42S83200J-6TL") |
IS42S83200J-6TL | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SDRAM 256MB 166MHZ 54TSOP |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
IS42S83200J-6TL | Hersteller : ISSI |
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |