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IS42S83200J-6TL

IS42S83200J-6TL ISSI

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Hersteller: ISSI
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
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Technische Details IS42S83200J-6TL ISSI

Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим, Anzahl je Verpackung: 108 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IS42S83200J-6TL ISSI IS42S83200J-ISSI.pdf Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим
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IS42S83200J-6TL IS42S83200J-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 42-45S83200J-16160J.pdf Description: IC SDRAM 256MB 166MHZ 54TSOP
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IS42S83200J-6TL IS42S83200J-6TL ISSI 42-45s83200j-16160j.pdf DRAM Chip SDRAM 256Mbit 32Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SDRAM 256MB 166MHZ 54TSOP
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DRAM Chip SDRAM 256Mbit 32Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II
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