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IS42S86400D-6TL ISSI

42-45R-S_86400D-16320D-32160D.pdf
Hersteller: ISSI
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 108 Stücke
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Technische Details IS42S86400D-6TL ISSI

Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим, Anzahl je Verpackung: 108 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IS42S86400D-6TL IS42S86400D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 42-45R-S_86400D-16320D-32160D.pdf Description: IC SDRAM 512M 166MHZ 54TSOP
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IS42S86400D-6TL IS42S86400D-6TL ISSI 42-45R-S_86400D-16320D-32160D-258456.pdf DRAM 512M (64Mx8) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SDRAM 512M 166MHZ 54TSOP
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DRAM 512M (64Mx8) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
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