IS42S86400D-6TL ISSI
Hersteller: ISSI
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSO
Anzahl je Verpackung: 108 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IS42S86400D-6TL ISSI
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSO, Anzahl je Verpackung: 108 Stücke.
Weitere Produktangebote IS42S86400D-6TL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
%20Renders/54-TSOP.jpg "IS42S86400D-6TL") |
IS42S86400D-6TL | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SDRAM 512M 166MHZ 54TSOP |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
IS42S86400D-6TL | Hersteller : ISSI |
DRAM 512M (64Mx8) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V |
Produkt ist nicht verfügbar |