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IS42VM32200M-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS42VM32200M-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 512kx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: SDRAM, Memory: 64Mb DRAM, Memory organisation: 512kx32bitx4, Clock frequency: 133MHz, Access time: 7.5ns, Case: TFBGA90, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: reel; tape, Supply voltage: 1.7...1.95V DC.
Weitere Produktangebote IS42VM32200M-75BLI-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IS42VM32200M-75BLI-TR | ISSI |
 DRAM 64M, 1.8V, Mobile SDRAM, 2Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IS42VM32200M-75BLI-TR | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 512kx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 64Mb DRAM Memory organisation: 512kx32bitx4 Clock frequency: 133MHz Access time: 7.5ns Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.7...1.95V DC |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS42VM32200M-75BLI-TR |
|
Hersteller: ISSI
DRAM 64M, 1.8V, Mobile SDRAM, 2Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
DRAM 64M, 1.8V, Mobile SDRAM, 2Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
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Stück im Wert von UAH
| IS42VM32200M-75BLI-TR |
|
Hersteller: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 512kx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 64Mb DRAM
Memory organisation: 512kx32bitx4
Clock frequency: 133MHz
Access time: 7.5ns
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 512kx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 64Mb DRAM
Memory organisation: 512kx32bitx4
Clock frequency: 133MHz
Access time: 7.5ns
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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