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Technische Details IS43DR16320E-25DBLI ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA84, Type of integrated circuit: DRAM memory, Mounting: SMD, Case: TWBGA84, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, Access time: 12.5ns, Clock frequency: 400MHz, Memory: 512Mb DRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 8Mx16bitx4, Anzahl je Verpackung: 209 Stücke.
Weitere Produktangebote IS43DR16320E-25DBLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IS43DR16320E-25DBLI | Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
 Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR16320E-25DBLI - DRAM, 32M x 16 Bit, BGA-84tariffCode: 85423231 productTraceability: No rohsCompliant: YES Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Anzahl der Pins: 84Pin(s) euEccn: NLR Speicherdichte: 512Mbit hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, min.: -40°C Betriebstemperatur, max.: 85°C usEccn: EAR99 Produktpalette: IS43DR SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| IS43DR16320E-25DBLI | Hersteller : ISSI |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA |
auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IS43DR16320E-25DBLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA84 Type of integrated circuit: DRAM memory Mounting: SMD Case: TWBGA84 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of memory: DDR2; SDRAM Supply voltage: 1.7...1.9V DC Access time: 12.5ns Clock frequency: 400MHz Memory: 512Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 8Mx16bitx4 Anzahl je Verpackung: 209 Stücke |
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IS43DR16320E-25DBLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA |
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| IS43DR16320E-25DBLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA84 Type of integrated circuit: DRAM memory Mounting: SMD Case: TWBGA84 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of memory: DDR2; SDRAM Supply voltage: 1.7...1.9V DC Access time: 12.5ns Clock frequency: 400MHz Memory: 512Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 8Mx16bitx4 |
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