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IS43DR86400D-25DBLI

IS43DR86400D-25DBLI ISSI

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Hersteller: ISSI
DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2
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Technische Details IS43DR86400D-25DBLI ISSI

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR86400D-25DBLI - DRAM, 64M x 8 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-60, DRAM-Ausführung: DDR2, Bauform - Speicherbaustein: BGA, DRAM-Dichte: 512, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 400, Versorgungsspannung, nom.: 1.8, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40, Taktfrequenz: 400, Anzahl der Pins: 60, Produktpalette: IS43DR, Betriebstemperatur, max.: 85, Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 8 bit, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IS43DR86400D-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 43-46DR86400D-16320D.pdf Description: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
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IS43DR86400D-25DBLI IS43DR86400D-25DBLI INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) 2622025.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR86400D-25DBLI - DRAM, 64M x 8 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-60
DRAM-Ausführung: DDR2
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 512
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 400
Versorgungsspannung, nom.: 1.8
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 400
Anzahl der Pins: 60
Produktpalette: IS43DR
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 8 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
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Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR86400D-25DBLI - DRAM, 64M x 8 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-60
DRAM-Ausführung: DDR2
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 512
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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Versorgungsspannung, nom.: 1.8
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 400
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Produktpalette: IS43DR
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 8 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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