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Technische Details IS43DR86400E-25DBLI ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Case: TWBGA60, Access time: 12.5ns, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, Clock frequency: 400MHz, Memory organisation: 16Mx8bitx4, Memory: 512Mb DRAM, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Type of integrated circuit: DRAM memory.
Weitere Produktangebote IS43DR86400E-25DBLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IS43DR86400E-25DBLI | Hersteller : ISSI |
 DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA |
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%20Renders/706;-60TWBGA-1.1-10x8;-;-60.jpg "IS43DR86400E-25DBLI") |
IS43DR86400E-25DBLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IS43DR86400E-25DBLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Mounting: SMD Case: TWBGA60 Access time: 12.5ns Supply voltage: 1.7...1.9V DC Clock frequency: 400MHz Memory organisation: 16Mx8bitx4 Memory: 512Mb DRAM Kind of memory: DDR2; SDRAM Type of integrated circuit: DRAM memory |
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