auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 14.35 EUR |
| 10+ | 13.13 EUR |
| 25+ | 12.87 EUR |
| 100+ | 11.47 EUR |
| 242+ | 11.41 EUR |
| 484+ | 10.71 EUR |
| 968+ | 10.24 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IS43DR86400E-25DBLI ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 512Mb DRAM, Mounting: SMD, Case: TWBGA60, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Memory organisation: 16Mx8bitx4, Access time: 12.5ns, Clock frequency: 400MHz, Anzahl je Verpackung: 242 Stücke.
Weitere Produktangebote IS43DR86400E-25DBLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43DR86400E-25DBLI | Hersteller : ISSI |
 DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| IS43DR86400E-25DBLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 512Mb DRAM Mounting: SMD Case: TWBGA60 Supply voltage: 1.7...1.9V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory organisation: 16Mx8bitx4 Access time: 12.5ns Clock frequency: 400MHz Anzahl je Verpackung: 242 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
%20Renders/706;-60TWBGA-1.1-10x8;-;-60.jpg "IS43DR86400E-25DBLI") |
IS43DR86400E-25DBLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| IS43DR86400E-25DBLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 512Mb DRAM Mounting: SMD Case: TWBGA60 Supply voltage: 1.7...1.9V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory organisation: 16Mx8bitx4 Access time: 12.5ns Clock frequency: 400MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |