| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14.09 EUR |
| 10+ | 13.14 EUR |
| 25+ | 12.73 EUR |
| 50+ | 12.15 EUR |
| 100+ | 11.85 EUR |
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Technische Details IS43DR86400E-25DBLI ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Mounting: SMD, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, Access time: 12.5ns, Type of integrated circuit: DRAM memory, Operating temperature: -40...85°C, Clock frequency: 400MHz, Memory: 512Mb DRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 16Mx8bitx4, Kind of package: in-tray; tube, Case: TWBGA60.
Weitere Produktangebote IS43DR86400E-25DBLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IS43DR86400E-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 242 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS43DR86400E-25DBLI | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Kind of memory: DDR2; SDRAM Mounting: SMD Supply voltage: 1.7...1.9V DC Access time: 12.5ns Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 400MHz Memory: 512Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx8bitx4 Kind of package: in-tray; tube Case: TWBGA60 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 242 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS43DR86400E-25DBLI |
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IS43DR86400E-25DBLI |
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Hersteller: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 12.5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TWBGA60
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 12.5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TWBGA60
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