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IS43LD16640C-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS43LD16640C-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 533MHz; 18ns; TFBGA134, Type of integrated circuit: DRAM memory, Case: TFBGA134, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Clock frequency: 533MHz, Memory: 1Gb DRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 8Mx16bitx8, Kind of memory: LPDDR2; SDRAM, Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC, Access time: 18ns.
Weitere Produktangebote IS43LD16640C-18BLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IS43LD16640C-18BLI | ISSI |
 DRAM 1G 64Mx16 533MHz LPDDR2 1.2/1.8V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IS43LD16640C-18BLI | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 533MHz; 18ns; TFBGA134 Type of integrated circuit: DRAM memory Case: TFBGA134 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Clock frequency: 533MHz Memory: 1Gb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 8Mx16bitx8 Kind of memory: LPDDR2; SDRAM Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC Access time: 18ns |
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Mindestbestellmenge: 171 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS43LD16640C-18BLI |
|
Hersteller: ISSI
DRAM 1G 64Mx16 533MHz LPDDR2 1.2/1.8V
DRAM 1G 64Mx16 533MHz LPDDR2 1.2/1.8V
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| IS43LD16640C-18BLI |
|
Hersteller: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 533MHz; 18ns; TFBGA134
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: TFBGA134
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Clock frequency: 533MHz
Memory: 1Gb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 8Mx16bitx8
Kind of memory: LPDDR2; SDRAM
Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC
Access time: 18ns
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 533MHz; 18ns; TFBGA134
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: TFBGA134
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Clock frequency: 533MHz
Memory: 1Gb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 8Mx16bitx8
Kind of memory: LPDDR2; SDRAM
Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC
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