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IS43LD16640C-18BLI ISSI


IS43LD16640C-18BLI.pdf Hersteller: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 533MHz; 18ns; TFBGA134
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: TFBGA134
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 1Gb DRAM
Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC
Kind of memory: LPDDR2; SDRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx8
Access time: 18ns
Clock frequency: 533MHz
Anzahl je Verpackung: 171 Stücke
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Technische Details IS43LD16640C-18BLI ISSI

Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 533MHz; 18ns; TFBGA134, Type of integrated circuit: DRAM memory, Case: TFBGA134, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 1Gb DRAM, Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC, Kind of memory: LPDDR2; SDRAM, Memory organisation: 8Mx16bitx8, Access time: 18ns, Clock frequency: 533MHz, Anzahl je Verpackung: 171 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IS43LD16640C-18BLI IS43LD16640C-18BLI Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 43-46LD16640C-32320C.pdf Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
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IS43LD16640C-18BLI Hersteller : ISSI 43-46LD16640C-32320C-1102532.pdf DRAM 1G 64Mx16 533MHz LPDDR2 1.2/1.8V
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IS43LD16640C-18BLI Hersteller : ISSI IS43LD16640C-18BLI.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 533MHz; 18ns; TFBGA134
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: TFBGA134
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 1Gb DRAM
Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC
Kind of memory: LPDDR2; SDRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx8
Access time: 18ns
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