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IS43LD32160A-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS43LD32160A-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 400MHz; 18ns; TFBGA134, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape, Kind of memory: LPDDR2; SDRAM, Kind of interface: parallel, Case: TFBGA134, Access time: 18ns, Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC, Clock frequency: 400MHz, Memory: 512Mb DRAM, Memory organisation: 4Mx32bitx4, Type of integrated circuit: DRAM memory.
Weitere Produktangebote IS43LD32160A-25BLI-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IS43LD32160A-25BLI-TR | ISSI |
 DRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IS43LD32160A-25BLI-TR | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 400MHz; 18ns; TFBGA134 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Kind of memory: LPDDR2; SDRAM Kind of interface: parallel Case: TFBGA134 Access time: 18ns Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC Clock frequency: 400MHz Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 4Mx32bitx4 Type of integrated circuit: DRAM memory |
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| IS43LD32160A-25BLI-TR |
|
Hersteller: ISSI
DRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
DRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
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| IS43LD32160A-25BLI-TR |
|
Hersteller: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 400MHz; 18ns; TFBGA134
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: LPDDR2; SDRAM
Kind of interface: parallel
Case: TFBGA134
Access time: 18ns
Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC
Clock frequency: 400MHz
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Type of integrated circuit: DRAM memory
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 400MHz; 18ns; TFBGA134
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: LPDDR2; SDRAM
Kind of interface: parallel
Case: TFBGA134
Access time: 18ns
Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC
Clock frequency: 400MHz
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Type of integrated circuit: DRAM memory
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