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Technische Details IS43LR16160G-6BLI ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: LPDDR; SDRAM, Memory: 256Mb DRAM, Memory organisation: 4Mx16bitx4, Clock frequency: 166MHz, Access time: 6ns, Case: TFBGA60, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: in-tray; tube, Supply voltage: 1.7...1.95V DC, Anzahl je Verpackung: 300 Stücke.
Weitere Produktangebote IS43LR16160G-6BLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IS43LR16160G-6BLI | Hersteller : ISSI |
 DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA |
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| IS43LR16160G-6BLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: LPDDR; SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 4Mx16bitx4 Clock frequency: 166MHz Access time: 6ns Case: TFBGA60 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 1.7...1.95V DC Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
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IS43LR16160G-6BLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DDR 256M 166MHZ 60TFBGA |
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| IS43LR16160G-6BLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: LPDDR; SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 4Mx16bitx4 Clock frequency: 166MHz Access time: 6ns Case: TFBGA60 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 1.7...1.95V DC |
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