IS43LR16320C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details IS43LR16320C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 60-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10), Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5.5 ns, Memory Organization: 32M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote IS43LR16320C-6BLI-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IS43LR16320C-6BLI-TR | ISSI |
DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS43LR16320C-6BLI-TR | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60 Kind of memory: LPDDR; SDRAM Mounting: SMD Supply voltage: 1.7...1.95V DC Access time: 6ns Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 166MHz Memory: 512Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 8Mx16bitx4 Kind of package: reel; tape Case: TFBGA60 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IS43LR16320C-6BLI-TR | ISSI |
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS43LR16320C-6BLI-TR |
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Hersteller: ISSI
DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
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| IS43LR16320C-6BLI-TR |
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Hersteller: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Case: TFBGA60
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Case: TFBGA60
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IS43LR16320C-6BLI-TR |
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Hersteller: ISSI
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
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