IS43LR16800G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details IS43LR16800G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 60-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 128Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5.5 ns, Memory Organization: 8M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote IS43LR16800G-6BL-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IS43LR16800G-6BL-TR | ISSI |
DRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IS43LR16800G-6BL-TR | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60 Mounting: SMD Case: TFBGA60 Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...70°C Clock frequency: 166MHz Memory: 128Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 2Mx16bitx4 Kind of package: reel; tape Kind of memory: LPDDR; SDRAM Supply voltage: 1.7...1.95V DC Access time: 6ns |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IS43LR16800G-6BL-TR | ISSI |
DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS43LR16800G-6BL-TR |
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Hersteller: ISSI
DRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
DRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
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| IS43LR16800G-6BL-TR |
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Hersteller: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Mounting: SMD
Case: TFBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 128Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Mounting: SMD
Case: TFBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 128Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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| IS43LR16800G-6BL-TR |
|
Hersteller: ISSI
DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
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