IS43QR16256B-083RBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.2 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-BGA
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 17.18 EUR |
| 10+ | 15.91 EUR |
| 25+ | 15.55 EUR |
| 40+ | 15.46 EUR |
| 198+ | 13.61 EUR |
| 396+ | 12.94 EUR |
| 594+ | 12.81 EUR |
| 990+ | 12.38 EUR |
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Technische Details IS43QR16256B-083RBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43QR16256B-083RBLI - DRAM, DDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 1.2 GHz, FBGA, 96 Pin(s), tariffCode: 85423239, productTraceability: No, rohsCompliant: YES, Versorgungsspannung, nom.: 1.2V, Taktfrequenz, max.: 1.2GHz, Anzahl der Pins: 96Pin(s), euEccn: NLR, Speicherdichte: 4Gbit, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Betriebstemperatur, max.: 95°C, usEccn: EAR99, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IS43QR16256B-083RBLI nach Preis ab 19.53 EUR bis 24.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IS43QR16256B-083RBLI | Hersteller : ISSI |
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s a. 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT |
auf Bestellung 2796 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IS43QR16256B-083RBLI | Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43QR16256B-083RBLI - DRAM, DDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 1.2 GHz, FBGA, 96 Pin(s) tariffCode: 85423239 productTraceability: No rohsCompliant: YES Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.2GHz Anzahl der Pins: 96Pin(s) euEccn: NLR Speicherdichte: 4Gbit hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, min.: -40°C Betriebstemperatur, max.: 95°C usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IS43QR16256B-083RBLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 4GbDRAM; 256Mx16bit; 13.32ns; TWBGA96; -40÷95°C Mounting: SMD Kind of package: in-tray; tube Case: TWBGA96 Kind of memory: DDR4; SDRAM Memory organisation: 256Mx16bit Access time: 13.32ns Kind of interface: parallel Memory: 4Gb DRAM Operating temperature: -40...95°C Supply voltage: 1.2V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Anzahl je Verpackung: 198 Stücke |
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IS43QR16256B-083RBLI | Hersteller : ISSI |
DRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V 96-Pin TW-BGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IS43QR16256B-083RBLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 4GbDRAM; 256Mx16bit; 13.32ns; TWBGA96; -40÷95°C Mounting: SMD Kind of package: in-tray; tube Case: TWBGA96 Kind of memory: DDR4; SDRAM Memory organisation: 256Mx16bit Access time: 13.32ns Kind of interface: parallel Memory: 4Gb DRAM Operating temperature: -40...95°C Supply voltage: 1.2V DC Type of integrated circuit: DRAM memory |
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