IS43QR16512A-083TBLI ISSI
Hersteller: ISSI
DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 29.78 EUR |
| 10+ | 27.74 EUR |
| 25+ | 27.44 EUR |
| 50+ | 26.77 EUR |
| 100+ | 24.82 EUR |
| 272+ | 23.71 EUR |
| 544+ | 23.09 EUR |
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Technische Details IS43QR16512A-083TBLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43QR16512A-083TBLI - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.2 GHz, FBGA, 96 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.2V, Taktfrequenz, max.: 1.2GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 96Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IS43QR16512A-083TBLI | Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43QR16512A-083TBLI - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.2 GHz, FBGA, 96 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.2GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IS43QR16512A-083TBLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 512Mx16bit; 14.16ns; TWBGA96; -40÷95°C Memory: 8Gb DRAM Supply voltage: 1.2V DC Kind of memory: DDR4; SDRAM Kind of package: in-tray; tube Type of integrated circuit: DRAM memory Case: TWBGA96 Memory organisation: 512Mx16bit Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...95°C Access time: 14.16ns |
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