IS43R16160B-6TL
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Technische Details IS43R16160B-6TL
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43R16160B-6TL - DRAM, DDR, 256 Mbit, 4 BLK (4M x 16), 166 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: DDR, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, hazardous: false, DRAM-Dichte: 256, MSL: MSL 5 - 48 Stunden, Zugriffszeit: 700, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 2.5, Betriebstemperatur, min.: 0, Taktfrequenz: 166, euEccn: NLR, Seitengröße: 256, Anzahl der Pins: 66, Produktpalette: IS43R, Betriebstemperatur, max.: 70, Speicherkonfiguration DRAM: 4 BLK (4M x 16), SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IS43R16160B-6TL | Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43R16160B-6TL - DRAM, DDR, 256 Mbit, 4 BLK (4M x 16), 166 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II hazardous: false DRAM-Dichte: 256 MSL: MSL 5 - 48 Stunden Zugriffszeit: 700 usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 2.5 Betriebstemperatur, min.: 0 Taktfrequenz: 166 euEccn: NLR Seitengröße: 256 Anzahl der Pins: 66 Produktpalette: IS43R Betriebstemperatur, max.: 70 Speicherkonfiguration DRAM: 4 BLK (4M x 16) SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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IS43R16160B-6TL | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V Technology: SDRAM - DDR Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 66-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 700 ps Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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