Technische Details IS43R16160B-6TL
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43R16160B-6TL - DRAM, DDR, 256 Mbit, 4 BLK (4M x 16), 166 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: DDR, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, hazardous: false, DRAM-Dichte: 256, MSL: MSL 5 - 48 Stunden, Zugriffszeit: 700, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 2.5, Betriebstemperatur, min.: 0, Taktfrequenz: 166, euEccn: NLR, Seitengröße: 256, Anzahl der Pins: 66, Produktpalette: IS43R, Betriebstemperatur, max.: 70, Speicherkonfiguration DRAM: 4 BLK (4M x 16), SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IS43R16160B-6TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP IIDigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 16M x 16 Access Time: 700 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 66-TSOP II Memory Format: DRAM Clock Frequency: 166 MHz Technology: SDRAM - DDR Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 256Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 216 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IS43R16160B-6TL | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43R16160B-6TL - DRAM, DDR, 256 Mbit, 4 BLK (4M x 16), 166 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II hazardous: false DRAM-Dichte: 256 MSL: MSL 5 - 48 Stunden Zugriffszeit: 700 usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 2.5 Betriebstemperatur, min.: 0 Taktfrequenz: 166 euEccn: NLR Seitengröße: 256 Anzahl der Pins: 66 Produktpalette: IS43R Betriebstemperatur, max.: 70 Speicherkonfiguration DRAM: 4 BLK (4M x 16) SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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| IS43R16160B-6TL |
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
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| IS43R16160B-6TL |
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Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43R16160B-6TL - DRAM, DDR, 256 Mbit, 4 BLK (4M x 16), 166 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
hazardous: false
DRAM-Dichte: 256
MSL: MSL 5 - 48 Stunden
Zugriffszeit: 700
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 2.5
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 166
euEccn: NLR
Seitengröße: 256
Anzahl der Pins: 66
Produktpalette: IS43R
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicherkonfiguration DRAM: 4 BLK (4M x 16)
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43R16160B-6TL - DRAM, DDR, 256 Mbit, 4 BLK (4M x 16), 166 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
hazardous: false
DRAM-Dichte: 256
MSL: MSL 5 - 48 Stunden
Zugriffszeit: 700
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 2.5
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 166
euEccn: NLR
Seitengröße: 256
Anzahl der Pins: 66
Produktpalette: IS43R
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicherkonfiguration DRAM: 4 BLK (4M x 16)
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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