IS43R16160F-5BLI ISSI
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Technische Details IS43R16160F-5BLI ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TFBGA60, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: DDR1; SDRAM, Memory: 256Mb DRAM, Memory organisation: 4Mx16bitx4, Clock frequency: 200MHz, Access time: 5ns, Case: TFBGA60, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: in-tray; tube, Supply voltage: 2.5V DC, Anzahl je Verpackung: 190 Stücke.
Weitere Produktangebote IS43R16160F-5BLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IS43R16160F-5BLI | Hersteller : ISSI |
 DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA |
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| IS43R16160F-5BLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TFBGA60 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR1; SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 4Mx16bitx4 Clock frequency: 200MHz Access time: 5ns Case: TFBGA60 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 2.5V DC Anzahl je Verpackung: 190 Stücke |
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IS43R16160F-5BLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA |
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| IS43R16160F-5BLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TFBGA60 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR1; SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 4Mx16bitx4 Clock frequency: 200MHz Access time: 5ns Case: TFBGA60 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 2.5V DC |
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