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IS43TR16256B-107MBLI

IS43TR16256B-107MBLI ISSI

43-46TR16256B-85120BL.pdf
Hersteller: ISSI
DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
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Technische Details IS43TR16256B-107MBLI ISSI

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16256B-107MBLI - DRAM, DDR3, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s), tariffCode: 85423290, DRAM-Ausführung: DDR3, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 4Gbit, Versorgungsspannung, nom.: 1.5V, Taktfrequenz, max.: 933MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 96Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IS43TR16256B-107MBLI IS43TR16256B-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 43-46TR16256B-85120BL.pdf Description: IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 933 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS43TR16256B-107MBLI IS43TR16256B-107MBLI INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI 43-46TR16256B-85120BL.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16256B-107MBLI - DRAM, DDR3, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
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IS43TR16256B-107MBLI ISSI 43-46TR16256B-85120BL.pdf Динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM DDR3, Uживл, В = 1,425...1,575, Об'єм RAM = 4 Гбіт, Орг. пам. = 256М х 16, Тдост/Частота = 20 нс, Тексп, °C = -40...+95, Тип інтерф. = Паралельний, F = 933 МГц,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TWBGA-96 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 190 Stücke
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 933 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16256B-107MBLI - DRAM, DDR3, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.5V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
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Динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM DDR3, Uживл, В = 1,425...1,575, Об'єм RAM = 4 Гбіт, Орг. пам. = 256М х 16, Тдост/Частота = 20 нс, Тексп, °C = -40...+95, Тип інтерф. = Паралельний, F = 933 МГц,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TWBGA-96 Од. вим: шт
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