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IS43TR16256B-125KBL

IS43TR16256B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

43-46TR16256B-85120BL.pdf Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details IS43TR16256B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Description: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 96-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC), Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V, Technology: SDRAM - DDR3, Clock Frequency: 800 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 20 ns, Memory Organization: 256M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

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IS43TR16256B-125KBL IS43TR16256B-125KBL Hersteller : ISSI 43-46TR16256B-85120BL.pdf DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
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IS43TR16256B-125KBL IS43TR16256B-125KBL Hersteller : ISSI 43-46tr16256b-85120bl.pdf DRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA
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IS43TR16256B-125KBL Hersteller : ISSI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE97A4974C7F82E0D5&compId=IS43TR16256B-107MBLI.pdf?ci_sign=e8eba5f55141129072380632c8683c26fd29b789 Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 4GbDRAM; 256Mx16bit; 1066MHz; 13.75ns; TWBGA96
Memory: 4Gb DRAM
Supply voltage: 1.5V DC
Operating temperature: 0...95°C
Kind of memory: DDR3; SDRAM
Clock frequency: 1.066GHz
Memory organisation: 256Mx16bit
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: TWBGA96
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Access time: 13.75ns
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