IS43TR16512BL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 933 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IS43TR16512BL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16512BL-107MBL - DRAM, DDR3L, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR3L, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 8Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.35V, Taktfrequenz, max.: 933MHz, Betriebstemperatur, min.: 0°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 96Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IS43TR16512BL-107MBL nach Preis ab 45.99 EUR bis 59.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IS43TR16512BL-107MBL | Hersteller : ISSI |
DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IS43TR16512BL-107MBL | Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16512BL-107MBL - DRAM, DDR3L, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR3L rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 8Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 933MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IS43TR16512BL-107MBL | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 512Mx16bit; 933MHz; 13.91ns; TWBGA96 Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: 0...95°C Case: TWBGA96 Supply voltage: 1.35V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR3L; SDRAM Memory organisation: 512Mx16bit Access time: 13.91ns Clock frequency: 933MHz Kind of interface: parallel Memory: 8Gb DRAM Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 136 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IS43TR16512BL-107MBL | Hersteller : ISSI |
DRAM Chip DDR3L SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IS43TR16512BL-107MBL | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 512Mx16bit; 933MHz; 13.91ns; TWBGA96 Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: 0...95°C Case: TWBGA96 Supply voltage: 1.35V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR3L; SDRAM Memory organisation: 512Mx16bit Access time: 13.91ns Clock frequency: 933MHz Kind of interface: parallel Memory: 8Gb DRAM Mounting: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |