IS43TR16512BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 933 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 37.58 EUR |
| 10+ | 34.8 EUR |
| 25+ | 33.7 EUR |
| 50+ | 32.87 EUR |
| 136+ | 31.69 EUR |
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Technische Details IS43TR16512BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16512BL-107MBLI - DRAM, DDR3, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s), tariffCode: 85423290, DRAM-Ausführung: DDR3, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.35V, Taktfrequenz, max.: 933MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 96Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IS43TR16512BL-107MBLI nach Preis ab 32.4 EUR bis 44.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IS43TR16512BL-107MBLI | Hersteller : ISSI |
DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp |
auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IS43TR16512BL-107MBLI | Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16512BL-107MBLI - DRAM, DDR3, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s) tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: DDR3 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 933MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |