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IS43TR85120BL-125KBLI

IS43TR85120BL-125KBLI ISSI

43-46tr16256b-85120bl.pdf
Hersteller: ISSI
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin TW-BGA
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Technische Details IS43TR85120BL-125KBLI ISSI

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR85120BL-125KBLI - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, 800 MHz, BGA, 78 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR3L, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 4Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.35V, Taktfrequenz, max.: 800MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 78Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IS43TR85120BL-125KBLI IS43TR85120BL-125KBLI ISSI 43-46tr16256b-85120bl.pdf DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin TW-BGA
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IS43TR85120BL-125KBLI IS43TR85120BL-125KBLI INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI 3935028.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR85120BL-125KBLI - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, 800 MHz, BGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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IS43TR85120BL-125KBLI IS43TR85120BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 43-46TR16256B-85120BL.pdf Description: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 8
Access Time: 20 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 78-TWBGA (9x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 800 MHz
Technology: SDRAM - DDR3L
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-TFBGA
Packaging: Tray
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IS43TR85120BL-125KBLI IS43TR85120BL-125KBLI ISSI 43_46TR16256B_85120BL.pdf DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
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Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR85120BL-125KBLI - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, 800 MHz, BGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
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Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
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productTraceability: No
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Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
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Memory Interface: Parallel
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Supplier Device Package: 78-TWBGA (9x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 800 MHz
Technology: SDRAM - DDR3L
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
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Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-TFBGA
Packaging: Tray
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1+22.85 EUR
10+21.24 EUR
25+20.29 EUR
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