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IS61LF51218A-7.5TQLI

IS61LF51218A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

61VF_LF25636A_51218A.pdf
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 9MBIT 7.5NS 100TQFP
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Technische Details IS61LF51218A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100, Case: TQFP100, Mounting: SMD, Kind of memory: SRAM, Type of integrated circuit: SRAM memory, Operating temperature: -40...85°C, Access time: 7.5ns, Operating voltage: 3.3V, Memory: 9Mb SRAM, Memory organisation: 512kx18bit, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IS61LF51218A-7.5TQLI IS61LF51218A-7.5TQLI ISSI 61VF_LF25636A_51218A.pdf SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS
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IS61LF51218A-7.5TQLI IS61LF51218A-7.5TQLI ISSI IS61LF25636A-7.5TQLI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of memory: SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 7.5ns
Operating voltage: 3.3V
Memory: 9Mb SRAM
Memory organisation: 512kx18bit
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
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SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS
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Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of memory: SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
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Memory organisation: 512kx18bit
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