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IS61LF51236B-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS61LF51236B-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 6.5ns; QFP100, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: QFP100, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Kind of memory: SRAM, Access time: 6.5ns, Operating voltage: 3.3V, Memory: 18Mb SRAM, Memory organisation: 512kx36bit.
Weitere Produktangebote IS61LF51236B-6.5TQLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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IS61LF51236B-6.5TQLI | ISSI |
 SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O, 100Pin TQFP, RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61LF51236B-6.5TQLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 6.5ns; QFP100 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: QFP100 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Kind of memory: SRAM Access time: 6.5ns Operating voltage: 3.3V Memory: 18Mb SRAM Memory organisation: 512kx36bit |
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| IS61LF51236B-6.5TQLI |
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Hersteller: ISSI
SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O, 100Pin TQFP, RoHS
SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O, 100Pin TQFP, RoHS
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| IS61LF51236B-6.5TQLI |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 6.5ns; QFP100
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: QFP100
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Access time: 6.5ns
Operating voltage: 3.3V
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 6.5ns; QFP100
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: QFP100
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Access time: 6.5ns
Operating voltage: 3.3V
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
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