IS61LPD51236A-200TQLI ISSI
Hersteller: ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 72 Stücke
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Technische Details IS61LPD51236A-200TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100, Case: TQFP100, Operating voltage: 3.3V, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 512kx36bit, Access time: 3.1ns, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 18Mb SRAM, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Anzahl je Verpackung: 72 Stücke.
Weitere Produktangebote IS61LPD51236A-200TQLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IS61LPD51236A-200TQLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IS61LPD51236A-200TQLI | Hersteller : ISSI |
SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IS61LPD51236A-200TQLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100 Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx36bit Access time: 3.1ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 18Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C |
Produkt ist nicht verfügbar |