IS61LPS12836EC-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS61LPS12836EC-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Kind of interface: parallel, Case: TFBGA165, Access time: 3.1ns, Operating voltage: 3.3V, Memory: 4.5Mb SRAM, Memory organisation: 128kx36bit, Kind of package: reel; tape.
Weitere Produktangebote IS61LPS12836EC-200B3LI-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IS61LPS12836EC-200B3LI-TR | ISSI |
SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61LPS12836EC-200B3LI-TR | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Kind of interface: parallel Case: TFBGA165 Access time: 3.1ns Operating voltage: 3.3V Memory: 4.5Mb SRAM Memory organisation: 128kx36bit Kind of package: reel; tape |
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| IS61LPS12836EC-200B3LI-TR |
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Hersteller: ISSI
SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS
SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS
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| IS61LPS12836EC-200B3LI-TR |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Kind of interface: parallel
Case: TFBGA165
Access time: 3.1ns
Operating voltage: 3.3V
Memory: 4.5Mb SRAM
Memory organisation: 128kx36bit
Kind of package: reel; tape
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Kind of interface: parallel
Case: TFBGA165
Access time: 3.1ns
Operating voltage: 3.3V
Memory: 4.5Mb SRAM
Memory organisation: 128kx36bit
Kind of package: reel; tape
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