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IS61LPS204836B-166TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS61LPS204836B-166TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel, Operating temperature: -40...85°C, Type of integrated circuit: SRAM memory, Memory: 72Mb SRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 2Mx36bit, Kind of package: in-tray; tube, Case: TQFP100, Operating voltage: 3.3V, Kind of memory: SRAM, Mounting: SMD, Access time: 3.8ns.
Weitere Produktangebote IS61LPS204836B-166TQLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IS61LPS204836B-166TQLI | ISSI |
 SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 36,166Mhz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IS61LPS204836B-166TQLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel Operating temperature: -40...85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Memory: 72Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 2Mx36bit Kind of package: in-tray; tube Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Mounting: SMD Access time: 3.8ns |
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Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61LPS204836B-166TQLI |
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Hersteller: ISSI
SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 36,166Mhz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 36,166Mhz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
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| IS61LPS204836B-166TQLI |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Memory: 72Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx36bit
Kind of package: in-tray; tube
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Mounting: SMD
Access time: 3.8ns
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Memory: 72Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx36bit
Kind of package: in-tray; tube
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Mounting: SMD
Access time: 3.8ns
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