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IS61LPS25636A-200TQLI

IS61LPS25636A-200TQLI ISSI

61VPS_LPS25636A_51218A.pdf Hersteller: ISSI
SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v
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Technische Details IS61LPS25636A-200TQLI ISSI

Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP, Packaging: Tray, Package / Case: 100-LQFP, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 9Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V, Technology: SRAM - Synchronous, SDR, Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 100-LQFP (14x20), Part Status: Active, Memory Interface: Parallel, Access Time: 3.1 ns, Memory Organization: 256K x 36, DigiKey Programmable: Not Verified.

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IS61LPS25636A-200TQLI IS61LPS25636A-200TQLI Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS_LPS25636A_51218A.pdf Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 9Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x20)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.1 ns
Memory Organization: 256K x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS61LPS25636A-200TQLI Hersteller : ISSI IS61LPS25636A-200B3LI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.5ns; QFP100; parallel
Mounting: SMD
Kind of memory: SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 3.5ns
Operating voltage: 3.3V
Memory: 9Mb SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Case: QFP100
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
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