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IS61LPS51236B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS61LPS51236B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: TFBGA165, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 18Mb SRAM, Operating voltage: 3.3V, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 512kx36bit, Access time: 3ns, Anzahl je Verpackung: 144 Stücke.
Weitere Produktangebote IS61LPS51236B-200B3LI
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IS61LPS51236B-200B3LI | Hersteller : ISSI |
 SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-bit 512K x 36 3ns 165-Pin TFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IS61LPS51236B-200B3LI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TFBGA165 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 18Mb SRAM Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx36bit Access time: 3ns Anzahl je Verpackung: 144 Stücke |
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IS61LPS51236B-200B3LI | Hersteller : ISSI |
SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3v or 2.5v I/O, 165 Ball BGA, Lead Free |
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| IS61LPS51236B-200B3LI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TFBGA165 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 18Mb SRAM Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx36bit Access time: 3ns |
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