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IS61LV6416-10TL

IS61LV6416-10TL ISSI

61LV6416_L-258368.pdf Hersteller: ISSI
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
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Technische Details IS61LV6416-10TL ISSI

Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 64K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IS61LV6416-10TL Hersteller : Integrated Silicon Solution Inc. 61LV6416_L.pdf 16-bit Memory IC; 64Kb-SRAM; 3,135~3,6V; 0°C~70°C; Substitute: K6R1016V1D-UC10; CY7C1021CV33-10ZXC; IDT71016SA10PHG; AS7C31026B-10TCN; GS71116AGP-1; CY7C1021DV33-10ZSXIT; IS61LV6416-10TL PS1024/16/010 ts3
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IS61LV6416-10TL IS61LV6416-10TL Hersteller : ISSI 61lv6416_l.pdf SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
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IS61LV6416-10TL IS61LV6416-10TL Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 61LV6416_L.pdf Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
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Access Time: 10 ns
Memory Organization: 64K x 16
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