IS61NLF25636A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IS61NLF25636A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Memory: 9Mb SRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 256kx36bit, Kind of package: in-tray; tube, Case: TQFP100, Operating voltage: 3.3V, Kind of memory: SRAM, Access time: 7.5ns, Type of integrated circuit: SRAM memory.
Weitere Produktangebote IS61NLF25636A-7.5TQLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61NLF25636A-7.5TQLI | ISSI |
 SRAM 8Mb 256Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
IS61NLF25636A-7.5TQLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Memory: 9Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 256kx36bit Kind of package: in-tray; tube Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Access time: 7.5ns Type of integrated circuit: SRAM memory |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61NLF25636A-7.5TQLI |
|
Hersteller: ISSI
SRAM 8Mb 256Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v
SRAM 8Mb 256Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IS61NLF25636A-7.5TQLI |
|
Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 9Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx36bit
Kind of package: in-tray; tube
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Access time: 7.5ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 9Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx36bit
Kind of package: in-tray; tube
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Access time: 7.5ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH