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IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Memory: 9Mb SRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 256kx36bit, Kind of package: reel; tape, Case: QFP100, Operating voltage: 3.3V, Kind of memory: SRAM, Access time: 7.5ns, Type of integrated circuit: SRAM memory.
Weitere Produktangebote IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR | ISSI |
 SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Memory: 9Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 256kx36bit Kind of package: reel; tape Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Access time: 7.5ns Type of integrated circuit: SRAM memory |
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR |
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Hersteller: ISSI
SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
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Im Einkaufswagen
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| IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 9Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx36bit
Kind of package: reel; tape
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Access time: 7.5ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 9Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx36bit
Kind of package: reel; tape
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Access time: 7.5ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
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