IS61NLF51218A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS61NLF51218A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: TQFP100, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of memory: SRAM, Access time: 7.5ns, Memory: 9Mb SRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 512kx18bit, Kind of package: in-tray; tube, Operating voltage: 3.3V.
Weitere Produktangebote IS61NLF51218A-7.5TQLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IS61NLF51218A-7.5TQLI | ISSI |
 SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IS61NLF51218A-7.5TQLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TQFP100 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of memory: SRAM Access time: 7.5ns Memory: 9Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 512kx18bit Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 3.3V |
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Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61NLF51218A-7.5TQLI |
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Hersteller: ISSI
SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
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| IS61NLF51218A-7.5TQLI |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: SRAM
Access time: 7.5ns
Memory: 9Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512kx18bit
Kind of package: in-tray; tube
Operating voltage: 3.3V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: SRAM
Access time: 7.5ns
Memory: 9Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512kx18bit
Kind of package: in-tray; tube
Operating voltage: 3.3V
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