IS61NLP102418B-200B3LI-TR ISSI
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Technische Details IS61NLP102418B-200B3LI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Memory: 18Mb SRAM, Kind of package: reel; tape, Kind of interface: parallel, Case: TFBGA165, Operating voltage: 3.3V, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 1Mx18bit, Access time: 3ns, Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| IS61NLP102418B-200B3LI-TR | Hersteller : ISSI |
 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Memory: 18Mb SRAM Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Case: TFBGA165 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Access time: 3ns Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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/165-TBGA.jpg "IS61NLP102418B-200B3LI-TR") |
IS61NLP102418B-200B3LI-TR | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
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IS61NLP102418B-200B3LI-TR | Hersteller : ISSI |
SRAM 18Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,1Mb x 18,200Mhz,3.3v/2.5v - I/O,165 Ball BGA, RoHS |
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| IS61NLP102418B-200B3LI-TR | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Memory: 18Mb SRAM Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Case: TFBGA165 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Access time: 3ns |
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