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Technische Details IS61NLP51218A-200TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel, Operating temperature: -40...85°C, Mounting: SMD, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 512kx8bit, Access time: 200ns, Operating voltage: 3.3V, Kind of package: in-tray; tube, Case: TQFP100, Kind of interface: parallel, Memory: 9Mb SRAM, Anzahl je Verpackung: 72 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IS61NLP51218A-200TQLI | Hersteller : ISSI |
 SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-bit 512K x 18 3.1ns 100-Pin TQFP |
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IS61NLP51218A-200TQLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 200ns Operating voltage: 3.3V Kind of package: in-tray; tube Case: TQFP100 Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Anzahl je Verpackung: 72 Stücke |
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IS61NLP51218A-200TQLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
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IS61NLP51218A-200TQLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 200ns Operating voltage: 3.3V Kind of package: in-tray; tube Case: TQFP100 Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM |
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