| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 39.46 EUR |
| 10+ | 36.57 EUR |
| 25+ | 35.41 EUR |
| 50+ | 34.55 EUR |
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Technische Details IS61NLP51218A-200TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel, Case: TQFP100, Mounting: SMD, Kind of memory: SRAM, Type of integrated circuit: SRAM memory, Operating temperature: -40...85°C, Access time: 200ns, Operating voltage: 3.3V, Memory: 9Mb SRAM, Memory organisation: 512kx8bit, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel.
Weitere Produktangebote IS61NLP51218A-200TQLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61NLP51218A-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IS61NLP51218A-200TQLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel Case: TQFP100 Mounting: SMD Kind of memory: SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Operating temperature: -40...85°C Access time: 200ns Operating voltage: 3.3V Memory: 9Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61NLP51218A-200TQLI |
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
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Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IS61NLP51218A-200TQLI |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of memory: SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 200ns
Operating voltage: 3.3V
Memory: 9Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of memory: SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 200ns
Operating voltage: 3.3V
Memory: 9Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
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