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IS61NLP51218B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS61NLP51218B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel, Kind of memory: SRAM, Mounting: SMD, Access time: 3.1ns, Type of integrated circuit: SRAM memory, Operating temperature: -40...85°C, Memory: 9Mb SRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 512kx18bit, Kind of package: in-tray; tube, Case: QFP100, Operating voltage: 3.3V.
Weitere Produktangebote IS61NLP51218B-200TQLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IS61NLP51218B-200TQLI | ISSI |
 SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61NLP51218B-200TQLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel Kind of memory: SRAM Mounting: SMD Access time: 3.1ns Type of integrated circuit: SRAM memory Operating temperature: -40...85°C Memory: 9Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 512kx18bit Kind of package: in-tray; tube Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V |
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Mindestbestellmenge: 72 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61NLP51218B-200TQLI |
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Hersteller: ISSI
SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
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Im Einkaufswagen
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| IS61NLP51218B-200TQLI |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
Kind of memory: SRAM
Mounting: SMD
Access time: 3.1ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 9Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512kx18bit
Kind of package: in-tray; tube
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
Kind of memory: SRAM
Mounting: SMD
Access time: 3.1ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 9Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512kx18bit
Kind of package: in-tray; tube
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
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